富士电梯Device Technology發佈訊息指出,將投入風力發電系統等用途之大容量電源半導體市場.基板材料首度採用具有高熱熱傳導性之SiN材料,可對應最大電流為3600安培.該公司之強項為電梯等使用之1千安培以下的中容量等級產品.由於未來看好節能設備等需求之成長,而正式投入大容量產品,以期擴大市佔率.
推出的產品為IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),是一種電流開關控制元件,將於松本事業所等據點投入封裝後形式之「High Power Module」系列產品之生產,10月開始上市銷售.對應電流容量為600-3600安培,價格5-10萬日圓,2009年以每月銷售5千個為目標.新產品除以現有產品相同封裝尺寸,可支援更大電流外,在抑制雜訊產生之同時,電流損失亦可較現有產品降低30%.
富士集團在對應高電壓大電流之產業用IGBT佔有全球30%之市場.在強化風力發電系統用電力轉換裝置等節能用途大容量產品線後,計畫在今年度將佔有率提升至35%之水準.